ہائی پیوریٹی SiC ویفر بوٹ

سیمی کنڈکٹر مینوفیکچرنگ کے میدان میں، اعلی درجہ حرارت کے عمل ویفر کیریئرز کے لیے انتہائی چیلنجز کا باعث بنتے ہیں۔ جب درجہ حرارت 1600 ℃ سے تجاوز کر جاتا ہے تو، روایتی کوارٹج کیریئر (ویفر استعمال شدہ کوارٹج بوٹ) نرم اور خراب ہونا شروع کر دیتا ہے اور آلودگیوں کو چھوڑ دیتا ہے، جس کی وجہ سے ویفر سکریپ کی شرح بڑھ جاتی ہے۔

سیلیکون کاربائیڈ (SiC) کے موروثی مادی فوائد کے ساتھ ہائی پیوریٹی SiC Wafer Boat اس صنعت کے درد کو مکمل طور پر حل کرتی ہے اور جدید سیمی کنڈکٹر مینوفیکچرنگ، خاص طور پر SiC پاور ڈیوائس کی تیاری کے لیے ایک ضروری ٹول بن جاتی ہے۔

مصنوعات کی بنیادی جسمانی خصوصیات اور تکنیکی پیرامیٹرز:

سلکان کاربائیڈ ویفر کیریئر (SiC Wafer Carrier) کی بہترین کارکردگی اس کی منفرد مادی سائنس کی خصوصیات سے پیدا ہوتی ہے۔ ذیل میں کلیدی جسمانی پیرامیٹرز کا تفصیلی موازنہ ہے:

یہ پیرامیٹرز سیمی کنڈکٹر مینوفیکچرنگ میں بہتر پیداوار اور کم لاگت میں براہ راست ترجمہ کرتے ہیں، جیسا کہ درج ذیل میں دکھایا گیا ہے:

تھرمل کارکردگی کا فائدہ: SiC کا وسیع بینڈ گیپ (3.26 eV) اس بات کو یقینی بناتا ہے کہ یہ 2000 ° C پر ایک مستحکم کرسٹل ڈھانچہ کو برقرار رکھتا ہے اور تھرمل ڈیفارمیشن سے بچتا ہے۔ اعلی تھرمل چالکتا (4.9 W/cm·K) ویفر کو زیادہ یکساں طور پر گرم کرنے کی اجازت دیتی ہے اور تھرمل تناؤ کی وجہ سے جالی کے نقائص کو ختم کرتی ہے۔

مکینیکل طاقت: 9.2 Mohs سختی اس عمل کے دوران جسمانی اثرات کے خلاف مزاحمت کرتی ہے، اور سروس لائف روایتی کوارٹج کیریئرز سے 10 گنا زیادہ ہے۔ منفرد سیمی سرکلر سلاٹ ڈیزائن 5MPa سے نیچے ویفر کے رابطے کے دباؤ کو کنٹرول کرتا ہے، بنیادی طور پر ہائی ٹمپریچر سلپ کے رجحان کو ختم کرتا ہے۔

کیمیائی جڑت: HF اور HCl جیسی انتہائی سنکنرن گیسوں کے لیے رواداری 10,000 گھنٹے سے زیادہ ہے، اور LPCVD، بازی، آکسیڈیشن اور دیگر عملوں میں صفر آلودگی برقرار رہتی ہے۔

ہائی پیوریٹی ایس سی ویفر بوٹ کا کلیدی کردار

ہماری ہائی پیوریٹی سی سی ویفر بوٹ درج ذیل اہم سیمی کنڈکٹر مینوفیکچرنگ کے عمل میں بڑے پیمانے پر استعمال ہوتی ہے۔

ہائی ٹمپریچر اینیلنگ: sic ویفر مینوفیکچرر کی پروڈکشن لائن میں، ہائی ٹمپریچر اینیلنگ ڈوپینٹس کو چالو کرنے اور جالی کے نقائص کی مرمت کے لیے ایک اہم قدم ہے۔ SiC ویفر بوٹ کا اعلی درجہ حرارت کا استحکام اینیلنگ کے عمل کی یکسانیت اور تاثیر کو یقینی بناتا ہے۔

ایپیٹیکسیل گروتھ: چاہے وہ سلکان پر مبنی ایپیٹیکسی ہو یا سلکان کاربائیڈ ویفر ایپیٹیکسی، SiC ویفر بوٹ کی اعلی درجہ حرارت کی مزاحمت اور سنکنرن مزاحمت اسے اعلیٰ معیار کی ایپیٹیکسیل تہہ کی نشوونما کو یقینی بنانے کے لیے ایک مثالی کیریئر بناتی ہے۔

ڈسٹریبیوش: ہائی ٹمپریچر ڈفیوژن فرنس میں، ایل پی سی وی ڈی ویفر بوٹ میں سی سی ویفر بوٹ ڈوپنگ ایٹموں کے یکساں پھیلاؤ کو یقینی بنانے اور عین برقی خصوصیات کی تشکیل کے لیے طویل مدتی اعلی درجہ حرارت کے علاج کا مقابلہ کر سکتی ہے۔

پتلی فلم جمع: خاص طور پر Lpcvd ویفر بوٹ ایپلی کیشنز کے لیے، انتہائی کم پارٹیکل شیڈنگ اور SiC ویفر بوٹس کی بہترین تھرمل چالکتا اعلیٰ معیار، اعلیٰ یکسانیت والی فلمیں حاصل کرنے میں مدد کرتی ہے۔

ہم آہنگ سامان اور عمل کی مطابقت:

✔ مین اسٹریم LPCVD بھٹیوں کے ساتھ ہم آہنگ (جیسے TEL، Kokusai، ASM، SVG، Tystar، وغیرہ)

✔ مرضی کے مطابق ویفر کی وضاحتیں جیسے 100mm/150mm/200mm

✔ افقی اور عمودی عمل کے سامان کی تنصیب کی حمایت کرتا ہے۔

Semixlab کی SiC ویفر بوٹ آپ کے عمل کی کارکردگی اور مصنوعات کی پیداوار کو بہتر بنانے کے لیے ایک مثالی انتخاب ہے، اور جدید سیمی کنڈکٹر ویفر بوٹ کے حل میں ایک رہنما ہے۔

Semixlab مصنوعات کی دکانیں