SiC لیپت ویفر ہولڈر

SiC Coated Wafer Holder is a wafer support designed for semiconductor high-temperature processes. It uses high-purity graphite substrate + CVD SiC coating, has excellent corrosion resistance, thermal shock resistance and low pollution characteristics, and is widely used in key processes such as SiC/GaN epitaxy, MOCVD, CVD, and diffusion to ensure stable transmission and high-yield production of wafers in high-temperature environments.

درخواست:

SiC (Silicon Carbide) coated wafer carriers are used in semiconductor, photovoltaic, LED and advanced electronics manufacturing due to their unique properties.

وہ خدمات جو فراہم کی جا سکتی ہیں: 

customer application scenario analysis, matching materials, technical problem solving.

تکنیکی پیرامیٹرز

مین ایپلیکیشن فیلڈز

ماحولیاتی سلسلہ کی توثیق کی توثیق

Semixlab SiC Coated Wafer holder uses high-purity silicon carbide powder and is ISO-certified, making it a "reliable partner" for high-end semiconductor manufacturing with quantifiable performance improvements (yield, life, cleanliness).

عام درخواست کا عمل

Substrate pretreatment → Material selection → Machining → Cleaning → Surface roughening（Chemical etching）→ SiC coating deposition（Chemical Vapor Deposition (CVD)） → Post-processing→ High temperature annealing → Surface polishing → Defect Detection → Performance Verification → Adhesion Testing, Corrosion Resistance, Thermal Cycle Testing → Cleaning and Packaging

Through process parameter optimization, Semixlab SiC Coated Wafer holder has achieved breakthrough progress in semiconductor manufacturing processes (such as CVD, epitaxial growth, etching, etc.), gradually replaced imports in the semiconductor market. If you need to obtain detailed technical white papers or arrange sample testing, please contact our technical support team.

Semixlab SiC Coated Wafer holder core advantages

بہترین اعلی درجہ حرارت مزاحمت

اعلی درجہ حرارت کا استحکام: SiC کا پگھلنے کا نقطہ 2700℃ تک ہے اور یہ 1000℃~1600℃ (جیسے CVD، MOCVD، epitaxial گروتھ وغیرہ) کے عمل کے ماحول میں طویل عرصے تک کام کر سکتا ہے، جو کہ سٹینلیس سٹیل یا ایلومینیم الائے کیریئرز سے بہت بہتر ہے۔ کم تھرمل ایکسپینشن گتانک، اعلی درجہ حرارت پر خراب کرنا آسان نہیں، اور ویفر پوزیشننگ کی درستگی کو برقرار رکھنا۔

تھرمل جھٹکا مزاحمت: SiC اعلی تھرمل چالکتا ہے، تیزی سے اور یکساں طور پر گرمی کو ختم کر سکتا ہے، اور درجہ حرارت میں اچانک تبدیلیوں کی وجہ سے ہونے والے کریکنگ کے خطرے کو کم کر سکتا ہے (گریفائٹ سے زیادہ پائیدار)۔

بہترین سنکنرن اور آلودگی کے خلاف مزاحمت

Resistant to corrosive gases such as HCl, H2, NH3(common in etching and epitaxial processes), preventing the carrier from being corroded and causing particle contamination. Strong anti-oxidation performance, more stable than graphite in high-temperature oxygen-containing environments (graphite requires coating protection, while SiC itself is resistant to oxidation). SiC coating can achieve a purity of more than 99.999%, preventing metal impurities (such as Fe, Ni) from contaminating the wafer, and is particularly suitable for silicon-based and wide bandgap semiconductor (GaN, SiC) manufacturing.

High mechanical strength and wear resistance

High hardness (Mohs hardness 9.2, second only to diamond), the surface is not easy to scratch, reducing the risk of particle shedding and extending the service life. Suitable for processes that require frequent contact such as CMP (chemical mechanical polishing), the wear resistance is better than metal or ceramic coatings. It is not easy to deform under high temperature load and maintains the flatness of the wafer (compared with graphite, which is easy to crack).

بہترین تھرمل چالکتا اور تھرمل یکسانیت

تیز حرارت کی ترسیل ویفر کی یکساں حرارت کو یقینی بناتی ہے (ایپٹیکسیل نمو کے دوران ناہموار موٹائی کو کم کرتی ہے)۔ پیداواری کارکردگی کو بہتر بنانے کے لیے درجہ حرارت میں تیزی سے اضافے اور زوال کے عمل (جیسے RTP ریپڈ اینیلنگ) کے لیے موزوں ہے۔ SiC کا تھرمل ایکسپینشن گتانک سلکان (Si) اور سلکان کاربائیڈ (SiC) ویفرز کے قریب ہے، جو تھرمل تناؤ کی وجہ سے پیدا ہونے والے جالیوں کے نقائص کو کم کرتا ہے۔

لمبی زندگی اور کم دیکھ بھال کی لاگت

In plasma environments (such as dry etching), SiC has better sputtering resistance than aluminum or quartz, and its life can be extended by 3 to 5 times. The surface is dense and smooth, and it is not easy to absorb process residues. It can be reused through high-temperature incineration or chemical cleaning.

مطابقت اور ڈیزائن کی لچک

SiC کوٹنگز کو سبسٹریٹس جیسے گریفائٹ، مولیبڈینم اور کاربن فائبر پر جمع کیا جا سکتا ہے، جس میں ہلکی پن اور اعلی طاقت دونوں کو مدنظر رکھا جا سکتا ہے۔ CVD یا چھڑکنے کے عمل کے ذریعے، کیریئرز کے پیچیدہ ڈھانچے (جیسے غیر محفوظ ڈھانچے اور ایمبیڈڈ ہیٹنگ عناصر) تیار کیے جا سکتے ہیں۔