سی وی ڈی ٹینٹلم کاربائیڈ (ٹی اے سی) کوٹنگ

TaC کوٹنگ کو عام طور پر اس وقت سمجھا جاتا ہے جب SiC اپنی حد تک پہنچنا شروع کر دیتا ہے۔ یہ زیادہ کثرت سے SiC epitaxy یا کرسٹل نمو میں ہوتا ہے، جہاں درجہ حرارت اور عمل کا ماحول دونوں زیادہ مانگتے ہیں۔

بہت زیادہ پگھلنے والے نقطہ کے ساتھ، TaC اعلی درجہ حرارت کی طویل نمائش کو بہتر طریقے سے ہینڈل کرتا ہے، خاص طور پر ہائیڈروجن یا HCl والے ماحول میں۔ عملی طور پر، اس سے PVT ترقی جیسے عمل میں فرق پڑتا ہے، جہاں تھرمل استحکام براہ راست کرسٹل کے معیار کو متاثر کرتا ہے۔

عام ایپلی کیشنز میں فلو گائیڈ رِنگز، سیڈ ہولڈرز، کروسیبل سے متعلقہ حصے، اور تھرمل فیلڈ کے اندر دیگر ڈھانچے شامل ہیں۔ یہ اجزاء طویل عرصے تک سخت حالات کا شکار رہتے ہیں، اس لیے انحطاط کو کم کرنا ضروری ہو جاتا ہے۔ کچھ سیٹ اپس میں، TaC آہستہ آہستہ پرانے مواد جیسے pBN، اور یہاں تک کہ کچھ SiC کوٹڈ پرزوں کو تبدیل کر رہا ہے، حالانکہ یہ اب بھی لاگت اور پراسیس ڈیزائن پر منحصر ہے۔